碳化硅材料结合碳化硅碳

上一篇中巩义市特种耐火厂为您讲解到了"通用耐火砖" 这一篇中我们再来看一下“F405045氮化硅生产技术工艺碳化硅材料结合碳化硅碳”的详细内容。

实用新型带消音装置的氮化硅发热装置是一种利用电加热的氮化硅发热装置，它是由氮化硅发热体和消音装置组成，氮化硅发热体是由钨丝，钨丝外包裹的氮化硅，极板和连接钨丝与极板的导线组成，消音装置是由消音罩和水孔组成，在氮化硅发热体上设置一消音罩，将氮化硅发热体套在消音罩内，在消音罩上有水孔，本实用新型消音效果好，结构简单，是一种可在多种加热装置中使用的带消音装置的氮化硅发热装置。

10188-0046-0007 碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件 摘要 本技术公然了一种过渡晶体结构，用于在一个单晶碳化硅层和一个单晶氮化镓层之间提供优良的晶格匹配和热匹配。这种过渡晶体结构包括一个缓冲区，它由以下结构构成：一个第一氮化镓和氮化铝层，一个与所述第一层邻接的第二氮化镓和氮化铝层。第二层中氮化铝的克分子百分比与第一层中氮化铝的克分子百分比明显不同。一个单晶氮化镓层制作于所述第二氮化镓层上。最佳实施例中，缓冲区还包括一个位于一个碳化硅衬底上的氮化铝外延层。

10188-0199-0009 氮化硅膜、显示器、半导体器件、件及制造氮化硅膜的方法摘要 本技术提供通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法，该氮化硅膜可以形成在热敏元件上以及电致发光元件上，并具有优良的阻挡特性。此外，本技术也提供了使用该氮化硅膜形成的半导体器件、显示器件和发光显示器件。在通过等离子体CVD形成氮化硅膜的方法中，在沉积过程中将硅烷(SiH4)、氮气(N2)和稀有气体引进沉积室中，并且反应压强在0.01Torr～0.1Torr的范围内。
10188-0049-0010 半石墨化碳氮化硅材料及其生产方法 摘要 本技术涉及一种半石墨化碳氮化硅材料及其生产方法，其特征在于：它是由煅烧后的无烟煤、结晶硅、碳化硅粉中添加酚醛树脂，经压制成型，烘干后装进氮化炉，注进氮气，在一定压力和温度下，经一定时间，即生本钱技术的制品。本技术与现有技术相比所具备的优点在于：更具有抗冲洗、耐剥落，耐腐蚀性能，可广泛用于炼铁高炉的炉底盛铁水的“陶瓷杯”部位的内壁工作层。
10188-0114-0011 在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法10188-0206-0012 高精度热压氮化硅陶瓷球轴承及其制造方法10188-0152-0013 一种用于炼铁高炉的氮化硅刚玉质浇注耐火材料10188-0191-0014 氮化硅陶瓷制造方法10188-0070-0015 以氮化铝为尽缘埋层的尽缘体上的硅材料制备方法10188-0047-0016 制备“无缺陷”氮化硅晶须的装置10188-0174-0017 形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备10188-0182-0018 玻璃包覆热等静压制备高性能氮化硅陶瓷10188-K0016-0503 LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发摘要 在５．０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射强度可见荧光 峰位位置分别为２．９７，２．７７，２．５５，２．３２，２．１０和１．９０ｅＶ的六个ＰＬ峰，建立了其可见荧光发射的能隙态模型，并初讨论了其发光机制。10188-K0222-0504 刚玉—氮化硅复合材料现状摘要 本文分析了陶瓷杯的损毁机理及陶瓷杯耐火材料的发展。重点总结了目前刚玉—氮化硅复合耐火材料的研究。

10188-K0176-0505 氮化硅轴承球表面层残余应力的形成机理及试验研究摘要 本文论述了烧结热应力及研磨加工对氮化硅轴承球表面残余应力的影响机理。通过比容积测定，对氮化硅轴承球表面残余应力分布进行了分析计算，并就研磨加工对氮化硅轴承球面残余应力的影响进行了试验研究。

10188-0030-0008 高断裂韧性自增强氮化硅陶瓷及其制备该陶瓷的方法 摘要 热压一种氮化硅，致密化助剂如氧化钠，转化肋剂如氧化镧和晶须生长促进化合物如氧化镓的粉末混合物以使该混合物致密化并且就地形成β－氮化硅。天生的氮化硅陶瓷包括含β－氮化硅晶须的结晶相；含致密化助剂，转化助剂，晶须生长促进化合物，和二氧化硅的玻璃相；和不大于１０％的其它相。

10188-K0241-0506 过渡族金属氮化物颗粒复合氮化硅氮化硅陶瓷的特性-----来源：稀有金属材料与工程 日期：1999-03 摘要 针对碳化物颗粒复合会导致氮化硅复合物材料相组成发生变化的缺点，对过渡族金属氮化物颗粒（主要是ＴｉＮ）增强氮化硅陶瓷的优点进行了全面分析，分析表明，氮化物颗粒不仅比碳化物颗粒与氮化硅有更好的相容性，而且可以固溶烧结过程中气相里的碳和氧，因此会有效降低氮化硅基体的碳化，这为无惰性气氛保护烧结提供了可能，另外，氮化物颗粒的引进对进步复合材料火花放电加工性及耐磨性能亦有很大帮助。
10188-K0063-0507 氮化硅对石英陶瓷性能的影响摘要 研究了氮化硅加进物对石英陶瓷性能的影响。结果表明，氮化硅有助于石英陶瓷的烧结，而对烧结温度无影响。在1150－1200℃的温度范围内，添加0．5－1．5％的氮化硅不会引导石英玻璃的析晶。烧成在1150－1200℃温度范围内，石英陶瓷的强度、体积密度随氮化硅的添加量增大和烧结温度进步而增大，而石英陶瓷的显气孔率随氮化硅添加量的增大和烧结温度的升高而减小。10188-K0375-0508 轴承用氮化硅陶瓷球的疲惫寿命研究概况。

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